紫外吸收光譜UV

　　分析原理：吸收紫(zi)外(wai)光能量(liang)，引起分子中(zhong)電子能級的躍(yue)遷

　　譜圖(tu)的表示方法：相對吸收光(guang)能量隨吸收光(guang)波長的變化

　　提供(gong)的信息(xi)：吸(xi)收(shou)峰的位(wei)置、強度和形狀，提供(gong)分子中不(bu)同電子結構的信息(xi)

　　熒光光譜法FS

 　　分析(xi)原理：被電磁輻射(she)激發后，從最低單(dan)線激發態回到單(dan)線基態，發射(she)熒光

　　譜圖的表示方法：發射的熒光能量隨(sui)光波長的變(bian)化(hua)

　　提供的(de)信息(xi)：熒光效率和壽(shou)命，提供分子中不同電(dian)子結構的(de)信息(xi)

　　紅外吸收光譜法IR

　　分(fen)析原理：吸收紅外(wai)光能(neng)量，引起(qi)具有偶極(ji)矩變化的(de)分(fen)子的(de)振動、轉動能(neng)級躍遷

　　譜圖的表示方法：相對透射光能量隨透射光頻率變(bian)化

　　提供(gong)(gong)的(de)信息(xi)：峰的(de)位置、強(qiang)度和形狀，提供(gong)(gong)功能團或(huo)化(hua)學鍵的(de)特(te)征(zheng)振動(dong)頻率

　　拉曼光譜法Ram

　　分(fen)析原理：吸收光能后，引起(qi)具有極化率變化的分(fen)子振動，產(chan)生(sheng)拉曼(man)散射

　　譜(pu)圖的表(biao)示方法(fa)：散(san)射(she)光能量隨拉曼位移的變化(hua)

　　提(ti)供的信息：峰的位置(zhi)、強度和形(xing)狀，提(ti)供功能團或化學鍵的特征振動(dong)頻率

　　核磁共振波譜法NMR

　　分析原理：在外磁場中(zhong)，具有核(he)磁矩的(de)原子核(he)，吸收射頻能量，產(chan)生核(he)自旋能級的(de)躍遷

　　譜圖的(de)表示方(fang)法：吸收(shou)光能量(liang)隨化學位移(yi)的(de)變化

　　提(ti)(ti)供的信息：峰的化學位移、強度、裂(lie)分數(shu)和(he)偶合常(chang)數(shu)，提(ti)(ti)供核(he)的數(shu)目、所處化學環境(jing)和(he)幾何構型的信息

　　電子順磁共振波譜法ESR

　　分析原理：在(zai)外(wai)磁(ci)場中(zhong)，分子中(zhong)未成對電子吸收射頻能量，產生電子自旋能級躍遷

　　譜圖的表示(shi)方法：吸(xi)收光能(neng)量或微分能(neng)量隨磁(ci)場強(qiang)度(du)變(bian)化

　　提供的信息：譜(pu)線位置、強度(du)、裂分(fen)數(shu)目和超精細(xi)分(fen)裂常數(shu)，提供未成對電子密度(du)、分(fen)子鍵特性及(ji)幾何(he)構型信息

　　質譜分析法MS

 　　分(fen)析原理：分(fen)子(zi)在(zai)真(zhen)空(kong)中被電子(zi)轟擊，形成離(li)子(zi)，通(tong)過電磁(ci)場按不同m/e分(fen)離(li)

　　譜(pu)圖的(de)表(biao)示方法：以棒圖形(xing)式表(biao)示離子的(de)相(xiang)對峰度隨(sui)m/e的(de)變化

　　提供(gong)的信(xin)(xin)息：分(fen)子離子及碎(sui)片離子的質(zhi)量數及其(qi)相對峰度，提供(gong)分(fen)子量，元素組成及結構的信(xin)(xin)息

　　氣相色譜法GC

　　分析原理：樣品中各組分在流動相(xiang)和固定(ding)相(xiang)之間(jian)，由于分配系數(shu)不(bu)同而(er)分離

　　譜圖的表示方法：柱后流(liu)出物濃(nong)度(du)隨(sui)保留值的變化

　　提供的信息(xi)：峰(feng)的保(bao)留(liu)值與組(zu)分熱力學參數有關，是(shi)定性依據;峰(feng)面積與組(zu)分含量有關

　　反氣相色譜法IGC

 　　分析原理：探針分子保留(liu)值的變化取決于它(ta)和(he)作為固定相的聚合物樣品之間的相互作用力

　　譜圖的(de)表示方法：探針分子比保留體積(ji)的(de)對數(shu)值隨柱(zhu)溫(wen)倒數(shu)的(de)變化曲線

　　提(ti)供的信息(xi)：探針(zhen)分(fen)子(zi)保留值與(yu)溫(wen)度的關系提(ti)供聚(ju)合物(wu)的熱力學參數

　　裂解氣相色譜法PGC

　　分(fen)析原理(li)：高(gao)分(fen)子材料在一(yi)定(ding)條件下瞬間裂(lie)解，可獲得具有一(yi)定(ding)特征的碎片

　　譜圖的表示(shi)方法：柱(zhu)后流出物濃(nong)度(du)隨保(bao)留值的變化

　　提(ti)供的信(xin)息：譜圖的指紋性或(huo)特征碎片峰，表征聚合物的化學結構(gou)和幾何構(gou)型

　　凝膠色譜法GPC

　　分析原理：樣品通過凝膠柱時，按分子的流體(ti)力學體(ti)積不同進行分離，大分子先(xian)流出

　　譜圖的表示方法：柱后流(liu)出物濃度隨保留值的變化

　　提供的信息：高聚物(wu)的平均分子量(liang)及其分布

　　熱重法TG

　　分(fen)析原理：在控溫環境中，樣品重(zhong)量隨(sui)溫度或(huo)時間變化

　　譜圖的(de)(de)表(biao)示方法：樣(yang)品的(de)(de)重量分數隨溫度或時間的(de)(de)變化曲線

　　提供(gong)的(de)信息(xi)：曲(qu)線陡降處為(wei)樣品失重區，平臺區為(wei)樣品的(de)熱穩定區

　　熱差分析DTA

　　分析原理：樣品與參比物(wu)處于同一控溫環境(jing)(jing)中，由于二(er)者導熱系數不同產生溫差，記錄溫度隨(sui)環境(jing)(jing)溫度或時間(jian)的變化

　　譜圖的表示方(fang)法：溫差隨(sui)環境溫度(du)或時間的變化曲線

　　提供的(de)信息(xi)：提供聚合(he)物熱(re)轉變(bian)溫度及各種熱(re)效應的(de)信息(xi)

　　TG-DTA圖

　　示(shi)差掃描量熱分析DSC

　　分(fen)析原理：樣品(pin)與參(can)比物處于同一控(kong)溫環境中，記錄維持溫差為零時，所需(xu)能量隨環境溫度或時間的變化(hua)

　　譜圖的(de)表示方法：熱量(liang)或其(qi)變化率隨環境溫度或時間的(de)變化曲線

　　提供的信息：提供聚合物(wu)熱(re)(re)轉變溫度(du)及各種熱(re)(re)效應的信息

　　靜態熱―力分析TMA

　　分析原理：樣品(pin)在(zai)恒力作用下產生(sheng)的形變隨溫度(du)或時間變化

　　譜圖的表示方(fang)法：樣品形變值隨溫度或時間變化曲線

　　提供的信息：熱(re)轉變(bian)溫(wen)度(du)和力學狀態

　　動態熱―力分析DMA

　　分析原理(li)：樣品(pin)在周(zhou)期性變化的外力作(zuo)用下產生的形變隨溫(wen)度的變化

　　譜圖的(de)表示(shi)方法(fa)：模量(liang)或tgδ隨溫度變化曲線

　　提供的(de)信息：熱轉變溫度模量和tgδ

　　透射電子顯微術TEM

　　分析原理：高能電子束穿透試樣時發生散射、吸收、干涉和衍射，使得(de)在相平面(mian)形成(cheng)襯度，顯示出圖象(xiang)

　　譜圖的表示(shi)方法：質厚(hou)襯度(du)象(xiang)(xiang)(xiang)、明(ming)場(chang)(chang)衍襯象(xiang)(xiang)(xiang)、暗場(chang)(chang)衍襯象(xiang)(xiang)(xiang)、晶格條紋象(xiang)(xiang)(xiang)、和分子象(xiang)(xiang)(xiang)

　　提供的(de)信息(xi)：晶(jing)體形(xing)貌(mao)、分子量分布、微(wei)孔(kong)尺寸分布、多相結構和晶(jing)格與(yu)缺(que)陷等

　　掃描電子顯微術SEM

　　分析(xi)原理：用電(dian)子(zi)技術檢測高能電(dian)子(zi)束與樣品作(zuo)用時產(chan)生二(er)次電(dian)子(zi)、背(bei)散(san)射電(dian)子(zi)、吸收電(dian)子(zi)、X射線等并放大成象

　　譜圖的(de)表示方法：背散(san)射象(xiang)(xiang)、二次電(dian)子象(xiang)(xiang)、吸(xi)收電(dian)流象(xiang)(xiang)、元素的(de)線(xian)分布(bu)(bu)和面分布(bu)(bu)等

　　提(ti)供(gong)的信息：斷(duan)口形貌、表面顯微(wei)結(jie)構、薄膜內部(bu)的顯微(wei)結(jie)構、微(wei)區(qu)元素分析與定量元素分析等

　　原子吸收AAS

　　原理：通過(guo)原子(zi)(zi)化器將待測(ce)(ce)試樣原子(zi)(zi)化，待測(ce)(ce)原子(zi)(zi)吸(xi)收待測(ce)(ce)元(yuan)素空心(xin)陰極燈的光，從而使用檢測(ce)(ce)器檢測(ce)(ce)到的能量變低，從而得到吸(xi)光度。吸(xi)光度與待測(ce)(ce)元(yuan)素的濃度成正比。

　　(Inductivecouplinghighfrequencyplasma)電感(gan)耦合高頻等離子體(ti)ICP

　　原(yuan)(yuan)理：利(li)(li)用氬等離(li)子(zi)體產生的(de)高溫(wen)使用試樣完全分(fen)解形成激(ji)發(fa)(fa)態的(de)原(yuan)(yuan)子(zi)和離(li)子(zi)，由于(yu)激(ji)發(fa)(fa)態的(de)原(yuan)(yuan)子(zi)和離(li)子(zi)不穩定(ding)，外層電(dian)子(zi)會從激(ji)發(fa)(fa)態向低的(de)能級躍遷，因此發(fa)(fa)射出特(te)征的(de)譜(pu)線。通(tong)過光(guang)柵等分(fen)光(guang)后(hou)，利(li)(li)用檢測(ce)器檢測(ce)特(te)定(ding)波長(chang)的(de)強度，光(guang)的(de)強度與待測(ce)元(yuan)素濃(nong)度成正比(bi)。

　　X-raydiffraction,x射線衍射即XRD

　　X射(she)(she)線(xian)是原(yuan)子(zi)(zi)內層(ceng)電(dian)子(zi)(zi)在高(gao)速運動電(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)轟(hong)擊下躍遷(qian)而產(chan)生的(de)(de)(de)光(guang)(guang)輻射(she)(she)，主要有連續(xu)X射(she)(she)線(xian)和特(te)征X射(she)(she)線(xian)兩種(zhong)。晶體可被用作X光(guang)(guang)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)柵，這(zhe)些很大數目的(de)(de)(de)原(yuan)子(zi)(zi)或離子(zi)(zi)/分子(zi)(zi)所產(chan)生的(de)(de)(de)相(xiang)干(gan)散射(she)(she)將會發生光(guang)(guang)的(de)(de)(de)干(gan)涉(she)作用，從而影響散射(she)(she)的(de)(de)(de)X射(she)(she)線(xian)的(de)(de)(de)強度(du)增(zeng)強或減弱(ruo)。由(you)于大量原(yuan)子(zi)(zi)散射(she)(she)波的(de)(de)(de)疊加，互相(xiang)干(gan)涉(she)而產(chan)生最大強度(du)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)束(shu)稱為X射(she)(she)線(xian)的(de)(de)(de)衍射(she)(she)線(xian)。

　　滿足衍射條件，可應用布拉格公式：2dsinθ=λ

　　應用(yong)已(yi)(yi)知波長的(de)X射線(xian)來(lai)測(ce)量θ角(jiao)，從而計算(suan)出(chu)晶面間距d，這是用(yong)于X射線(xian)結構分析;另一個是應用(yong)已(yi)(yi)知d的(de)晶體(ti)來(lai)測(ce)量θ角(jiao)，從而計算(suan)出(chu)特征(zheng)X射線(xian)的(de)波長，進而可在已(yi)(yi)有資(zi)料查出(chu)試樣中(zhong)所含的(de)元素。

　　高效毛細管電泳(highperformancecapillaryelectrophoresis，HPCE)

　　CZE的基本原理

　　HPLC選用(yong)(yong)的(de)(de)毛(mao)細(xi)管一(yi)般內徑(jing)約為50μm(20～200μm)，外(wai)(wai)徑(jing)為375μm，有(you)效長度(du)為50cm(7～100cm)。毛(mao)細(xi)管兩端分(fen)(fen)(fen)別浸入兩分(fen)(fen)(fen)開的(de)(de)緩沖液(ye)(ye)中(zhong)，同時兩緩沖液(ye)(ye)中(zhong)分(fen)(fen)(fen)別插入連有(you)高壓電(dian)(dian)源的(de)(de)電(dian)(dian)極(ji)(ji)，該電(dian)(dian)壓使(shi)得分(fen)(fen)(fen)析樣(yang)(yang)品(pin)(pin)沿毛(mao)細(xi)管遷移(yi)，當分(fen)(fen)(fen)離(li)樣(yang)(yang)品(pin)(pin)通過檢測(ce)(ce)器時，可對樣(yang)(yang)品(pin)(pin)進(jin)(jin)行分(fen)(fen)(fen)析處理。HPLC進(jin)(jin)樣(yang)(yang)一(yi)般采用(yong)(yong)電(dian)(dian)動力(li)學進(jin)(jin)樣(yang)(yang)(低電(dian)(dian)壓)或流體(ti)力(li)學進(jin)(jin)樣(yang)(yang)(壓力(li)或抽(chou)吸)兩種(zhong)方式。在(zai)毛(mao)細(xi)管電(dian)(dian)泳(yong)(yong)系(xi)統中(zhong)，帶(dai)(dai)電(dian)(dian)溶質在(zai)電(dian)(dian)場(chang)作(zuo)用(yong)(yong)下(xia)發生(sheng)定向(xiang)(xiang)(xiang)遷移(yi)，其表觀遷移(yi)速度(du)是(shi)溶質遷移(yi)速度(du)與(yu)溶液(ye)(ye)電(dian)(dian)滲流速度(du)的(de)(de)矢量和。所謂電(dian)(dian)滲是(shi)指(zhi)在(zai)高電(dian)(dian)壓作(zuo)用(yong)(yong)下(xia)，雙電(dian)(dian)層中(zhong)的(de)(de)水(shui)合陰離(li)子(zi)引起流體(ti)整體(ti)地朝負極(ji)(ji)方向(xiang)(xiang)(xiang)移(yi)動的(de)(de)現象;電(dian)(dian)泳(yong)(yong)是(shi)指(zhi)在(zai)電(dian)(dian)解質溶液(ye)(ye)中(zhong)，帶(dai)(dai)電(dian)(dian)粒(li)子(zi)在(zai)電(dian)(dian)場(chang)作(zuo)用(yong)(yong)下(xia)，以不同的(de)(de)速度(du)向(xiang)(xiang)(xiang)其所帶(dai)(dai)電(dian)(dian)荷(he)(he)(he)相反方向(xiang)(xiang)(xiang)遷移(yi)的(de)(de)現象。溶質的(de)(de)遷移(yi)速度(du)由其所帶(dai)(dai)電(dian)(dian)荷(he)(he)(he)數和分(fen)(fen)(fen)子(zi)量大小決定，另外(wai)(wai)還受(shou)緩沖液(ye)(ye)的(de)(de)組(zu)成、性(xing)質、pH值等多種(zhong)因(yin)素影響。帶(dai)(dai)正電(dian)(dian)荷(he)(he)(he)的(de)(de)組(zu)份(fen)沿毛(mao)細(xi)管壁形成有(you)機雙層向(xiang)(xiang)(xiang)負極(ji)(ji)移(yi)動，帶(dai)(dai)負電(dian)(dian)荷(he)(he)(he)的(de)(de)組(zu)分(fen)(fen)(fen)被分(fen)(fen)(fen)配至(zhi)毛(mao)細(xi)管近中(zhong)區域，在(zai)電(dian)(dian)場(chang)作(zuo)用(yong)(yong)下(xia)向(xiang)(xiang)(xiang)正極(ji)(ji)移(yi)動。與(yu)此(ci)同時，緩沖液(ye)(ye)的(de)(de)電(dian)(dian)滲流向(xiang)(xiang)(xiang)負極(ji)(ji)移(yi)動，其作(zuo)用(yong)(yong)超過電(dian)(dian)泳(yong)(yong)，最(zui)終導(dao)致帶(dai)(dai)正電(dian)(dian)荷(he)(he)(he)、中(zhong)性(xing)電(dian)(dian)荷(he)(he)(he)、負電(dian)(dian)荷(he)(he)(he)的(de)(de)組(zu)份(fen)依次(ci)通過檢測(ce)(ce)器。

　　MECC的基本原理

　　MECC是(shi)在(zai)CZE基礎(chu)上使用表面活性劑來(lai)充當膠束(shu)相，以膠束(shu)增溶(rong)(rong)作為分(fen)(fen)配(pei)(pei)(pei)原理，溶(rong)(rong)質在(zai)水(shui)(shui)相、膠束(shu)相中(zhong)的分(fen)(fen)配(pei)(pei)(pei)系數(shu)不同，在(zai)電(dian)(dian)(dian)場作用下(xia)，毛細(xi)管中(zhong)溶(rong)(rong)液的電(dian)(dian)(dian)滲流和(he)膠束(shu)的電(dian)(dian)(dian)泳，使膠束(shu)和(he)水(shui)(shui)相有不同的遷移速度(du)，同時待(dai)分(fen)(fen)離物質在(zai)水(shui)(shui)相和(he)膠束(shu)相中(zhong)被多次分(fen)(fen)配(pei)(pei)(pei)，在(zai)電(dian)(dian)(dian)滲流和(he)這種分(fen)(fen)配(pei)(pei)(pei)過程的雙重作用下(xia)得以分(fen)(fen)離。MECC是(shi)電(dian)(dian)(dian)泳技術(shu)與色(se)譜(pu)法的結(jie)合(he)，適(shi)合(he)同時分(fen)(fen)離分(fen)(fen)析中(zhong)性和(he)帶電(dian)(dian)(dian)的樣品分(fen)(fen)子。

　　掃描隧道顯微鏡(STM)

　　掃(sao)描(miao)隧(sui)道(dao)顯(xian)微鏡(STM)的(de)(de)基本原理是(shi)(shi)利用量子理論中的(de)(de)隧(sui)道(dao)效(xiao)應。將原子線度的(de)(de)極細探針(zhen)和被研究物質的(de)(de)表面作(zuo)為(wei)兩(liang)個電極，當樣品與針(zhen)尖(jian)的(de)(de)距離非常(chang)(chang)接近時(通(tong)常(chang)(chang)小于1nm)，在外加電場的(de)(de)作(zuo)用下，電子會(hui)穿過兩(liang)個電極之間的(de)(de)勢壘流向另一(yi)電極。這種現象即是(shi)(shi)隧(sui)道(dao)效(xiao)應。

　　原子力顯微鏡(AtomicForceMicroscopy，簡稱AFM)

　　原(yuan)子力(li)(li)顯(xian)微(wei)(wei)(wei)鏡的(de)(de)工作原(yuan)理就是將探(tan)針(zhen)裝在一彈性微(wei)(wei)(wei)懸臂(bei)(bei)(bei)的(de)(de)一端，微(wei)(wei)(wei)懸臂(bei)(bei)(bei)的(de)(de)另一端固定，當探(tan)針(zhen)在樣(yang)(yang)(yang)(yang)品(pin)表(biao)面掃描時，探(tan)針(zhen)與樣(yang)(yang)(yang)(yang)品(pin)表(biao)面原(yuan)子間的(de)(de)排斥力(li)(li)會(hui)使得微(wei)(wei)(wei)懸臂(bei)(bei)(bei)輕微(wei)(wei)(wei)變(bian)形(xing)，這(zhe)樣(yang)(yang)(yang)(yang)，微(wei)(wei)(wei)懸臂(bei)(bei)(bei)的(de)(de)輕微(wei)(wei)(wei)變(bian)形(xing)就可(ke)以作為探(tan)針(zhen)和樣(yang)(yang)(yang)(yang)品(pin)間排斥力(li)(li)的(de)(de)直接(jie)量(liang)度。一束激光經微(wei)(wei)(wei)懸臂(bei)(bei)(bei)的(de)(de)背面反射(she)到光電檢測器，可(ke)以精(jing)確測量(liang)微(wei)(wei)(wei)懸臂(bei)(bei)(bei)的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)小變(bian)形(xing)，這(zhe)樣(yang)(yang)(yang)(yang)就實現(xian)了(le)通過檢測樣(yang)(yang)(yang)(yang)品(pin)與探(tan)針(zhen)之間的(de)(de)原(yuan)子排斥力(li)(li)來反映樣(yang)(yang)(yang)(yang)品(pin)表(biao)面形(xing)貌(mao)和其他(ta)表(biao)面結構。

　　俄歇電子能譜學(Augerelectronspectroscopy)，簡稱AES

　　俄歇電(dian)(dian)子(zi)(zi)能(neng)譜基本(ben)原(yuan)(yuan)理：入射(she)電(dian)(dian)子(zi)(zi)束和物質作用，可(ke)以(yi)激(ji)發(fa)(fa)(fa)出原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)的內層電(dian)(dian)子(zi)(zi)。外(wai)層電(dian)(dian)子(zi)(zi)向內層躍遷過程(cheng)中所釋(shi)放的能(neng)量(liang)，可(ke)能(neng)以(yi)X光的形式放出，即產生(sheng)特(te)征X射(she)線(xian)，也可(ke)能(neng)又使核外(wai)另一電(dian)(dian)子(zi)(zi)激(ji)發(fa)(fa)(fa)成為(wei)自由(you)電(dian)(dian)子(zi)(zi)，這種自由(you)電(dian)(dian)子(zi)(zi)就(jiu)是(shi)俄歇電(dian)(dian)子(zi)(zi)。對于一個原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)來說,激(ji)發(fa)(fa)(fa)態原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)在釋(shi)放能(neng)量(liang)時只(zhi)能(neng)進行一種發(fa)(fa)(fa)射(she)：特(te)征X射(she)線(xian)或俄歇電(dian)(dian)子(zi)(zi)。原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)序(xu)數大(da)(da)的元素(su)，特(te)征X射(she)線(xian)的發(fa)(fa)(fa)射(she)幾率較大(da)(da)，原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)序(xu)數小(xiao)的元素(su)，俄歇電(dian)(dian)子(zi)(zi)發(fa)(fa)(fa)射(she)幾率較大(da)(da)，當原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)序(xu)數為(wei)33時，兩(liang)種發(fa)(fa)(fa)射(she)幾率大(da)(da)致相(xiang)等。因此，俄歇電(dian)(dian)子(zi)(zi)能(neng)譜適用于輕(qing)元素(su)的分(fen)析。