[1] 單(dan)結(jie)管(guan)(guan)(guan)即單(dan)結(jie)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)，又稱(cheng)為雙基(ji)極(ji)二極(ji)管(guan)(guan)(guan)，是一(yi)種具有一(yi)個PN結(jie)和兩(liang)個歐(ou)姆(mu)電極(ji)的(de)負阻半導(dao)體(ti)器(qi)件。常見(jian)的(de)有陶瓷封裝(zhuang)和金(jin)屬殼封裝(zhuang)的(de)單(dan)結(jie)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)。

　　[2] 單(dan)結(jie)晶體(ti)管(guan)(guan)(guan)可(ke)分為N型基(ji)極單(dan)結(jie)管(guan)(guan)(guan)和P型基(ji)極單(dan)結(jie)管(guan)(guan)(guan)兩大類。單(dan)結(jie)晶體(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)文字符號為“VT”，圖(tu)形符號如圖(tu)所示。

　　[3] 單(dan)結晶體(ti)(ti)管(guan)的(de)(de)(de)主要參數有(you)：① 分壓(ya)(ya)(ya)比η，指單(dan)結晶體(ti)(ti)管(guan)發射(she)(she)極(ji)(ji)E至第一基(ji)(ji)極(ji)(ji)B1間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(不包(bao)括PN結管(guan)壓(ya)(ya)(ya)降)在兩基(ji)(ji)極(ji)(ji)間電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)中所(suo)占的(de)(de)(de)比例。② 峰(feng)點(dian)(dian)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)UP，是指單(dan)結晶體(ti)(ti)管(guan)剛開(kai)始導通(tong)時的(de)(de)(de)發射(she)(she)極(ji)(ji)E與第一基(ji)(ji)極(ji)(ji)B1的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，其所(suo)對(dui)應的(de)(de)(de)發射(she)(she)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流叫做(zuo)峰(feng)點(dian)(dian)電(dian)(dian)流IP。③ 谷點(dian)(dian)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)UV，是指單(dan)結晶體(ti)(ti)管(guan)由負阻區開(kai)始進入飽和區時的(de)(de)(de)發射(she)(she)極(ji)(ji)E與第一基(ji)(ji)極(ji)(ji)B1間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，其所(suo)對(dui)應的(de)(de)(de)發射(she)(she)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流叫做(zuo)谷點(dian)(dian)電(dian)(dian)流IV。

　　[4] 單(dan)結晶體管(guan)共有三個管(guan)腳，分(fen)別是(shi)：發(fa)射極(ji)(ji)E、第(di)一基極(ji)(ji)B1和第(di)二基極(ji)(ji)B2。圖(tu)示為兩(liang)種典型(xing)單(dan)結晶體管(guan)的管(guan)腳電(dian)極(ji)(ji)。

　　[5] 單結(jie)晶(jing)體管最重(zhong)要的(de)特性是具(ju)有負(fu)阻性，其基本工(gong)作原理如圖示(以N基極單結(jie)管為例)。當發射極電(dian)壓(ya)UE大于峰點電(dian)壓(ya)UP時，PN結(jie)處于正向偏(pian)置，單結(jie)管導(dao)通。隨著發射極電(dian)流IE的(de)增加，大量空穴從發射極注入(ru)硅晶(jing)體，導(dao)致(zhi)發射極與第一基極間的(de)電(dian)阻急劇減小(xiao)，其間的(de)電(dian)位也就減小(xiao)，呈(cheng)現出負(fu)阻特性。

　　[6] 檢(jian)(jian)測單結(jie)晶體管(guan)(guan)時，萬用表(biao)置(zhi)于“R×;1k”擋，檢(jian)(jian)測兩(liang)基極(ji)間(jian)電(dian)阻(zu)：兩(liang)表(biao)筆(不分正(zheng)、負)接單結(jie)晶體管(guan)(guan)除發(fa)射極(ji)E以(yi)外(wai)的兩(liang)個管(guan)(guan)腳(jiao)，讀數應為3～10kΩ。

　　[7] 檢測(ce)PN結(jie)(jie)正向(xiang)電阻(N基極管(guan)為例，下同)：黑表筆接發射(she)極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shu)均(jun)應為數(shu)千(qian)歐(ou)。對調兩表筆后檢測(ce)PN結(jie)(jie)反向(xiang)電阻，讀數(shu)均(jun)應為無窮(qiong)大。如果測(ce)量結(jie)(jie)果與(yu)上述不符(fu)，說明(ming)被(bei)測(ce)單結(jie)(jie)管(guan)已損壞(huai)。

　　[8] 測量(liang)單(dan)結(jie)晶體管的(de)分壓比η：按(an)(an)圖示搭(da)接一個測量(liang)電(dian)路，用萬用表“直流10V”擋測出(chu)C2上(shang)的(de)電(dian)壓UC2，再按(an)(an)公(gong)式η=UC2/UB計算即可。

　　[9] 單(dan)結(jie)(jie)晶體(ti)管(guan)(guan)的(de)基(ji)本應用(yong)是組成(cheng)脈沖產生電(dian)路(lu)，包括振(zhen)蕩器、波(bo)形發生器等(deng)，并可使電(dian)路(lu)結(jie)(jie)構大(da)為(wei)簡化。圖示為(wei)單(dan)結(jie)(jie)晶體(ti)管(guan)(guan)弛張(zhang)振(zhen)蕩器。單(dan)結(jie)(jie)管(guan)(guan)VT的(de)發射極(ji)輸出(chu)鋸(ju)齒(chi)波(bo)，第一基(ji)極(ji)輸出(chu)窄脈沖，第二基(ji)極(ji)輸出(chu)方(fang)波(bo)。RE與C組成(cheng)充放電(dian)回(hui)路(lu)，改(gai)變(bian)RE或(huo)C即(ji)可改(gai)變(bian)振(zhen)蕩周期(qi)。該電(dian)路(lu)振(zhen)蕩周期(qi)T≈REC ln[1/(1-η)]，式中(zhong)，ln為(wei)自然對數，即(ji)以(yi)e(2.718)為(wei)底的(de)對數。

　　[10] 單結晶(jing)體管還可(ke)以(yi)用(yong)作晶(jing)閘管觸發電(dian)路。圖示為調(diao)光(guang)(guang)臺燈電(dian)路。在交流(liu)電(dian)的(de)(de)每半周內，晶(jing)閘管VS由單結管VT輸出的(de)(de)窄脈沖(chong)(chong)觸發導(dao)通，調(diao)節(jie)RP便改變了(le)(le)VT輸出窄脈沖(chong)(chong)的(de)(de)時(shi)間，即(ji)改變了(le)(le)VS的(de)(de)導(dao)通角，從而改變了(le)(le)流(liu)過燈泡EL的(de)(de)電(dian)流(liu)，實現了(le)(le)調(diao)光(guang)(guang)的(de)(de)目(mu)的(de)(de)。

　　[11] 晶(jing)體(ti)閘(zha)(zha)流(liu)(liu)管(guan)(guan)簡稱為晶(jing)閘(zha)(zha)管(guan)(guan)，也(ye)叫做可控硅，是一種(zhong)具(ju)有(you)三個PN結的功率型半導體(ti)器件。常見的晶(jing)閘(zha)(zha)管(guan)(guan)有(you)塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等(deng)形(xing)狀。晶(jing)體(ti)閘(zha)(zha)流(liu)(liu)管(guan)(guan)可分(fen)為：單(dan)向晶(jing)閘(zha)(zha)管(guan)(guan)、雙向晶(jing)閘(zha)(zha)管(guan)(guan)、可關斷晶(jing)閘(zha)(zha)管(guan)(guan)等(deng)多種(zhong)。

　　[12] 晶(jing)體閘(zha)流(liu)(liu)管的文字符號為“VS”，圖形符號如(ru)圖示。晶(jing)閘(zha)管的主要參數(shu)有(you)：額(e)定通態平均電(dian)(dian)流(liu)(liu)、正反向阻斷峰值電(dian)(dian)壓、維持電(dian)(dian)流(liu)(liu)、控制極觸發電(dian)(dian)壓和電(dian)(dian)流(liu)(liu)等(deng)。使用時應(ying)注意不能超(chao)過(guo)其極限(xian)參數(shu)指標，并留有(you)一定余量，以(yi)免造(zao)成器件損壞。

　　[13] 晶閘(zha)管(guan)具有三個電極(ji)。單向晶閘(zha)管(guan)的(de)三個電極(ji)是(shi)：陽極(ji)A、陰極(ji)K、控(kong)制極(ji)G。雙向晶閘(zha)管(guan)的(de)三個電極(ji)是(shi)：兩(liang)個主電極(ji)T1、T2以及(ji)控(kong)制極(ji)G。使用中應(ying)注意識別。

　　[14] 晶(jing)閘(zha)管(guan)(guan)(guan)具(ju)(ju)有(you)(you)可控(kong)(kong)的(de)單向(xiang)(xiang)(xiang)導(dao)(dao)電性，即(ji)不(bu)但具(ju)(ju)有(you)(you)一般二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)單向(xiang)(xiang)(xiang)導(dao)(dao)電的(de)整流作(zuo)用(yong)，而且可以對導(dao)(dao)通(tong)電流進(jin)行控(kong)(kong)制。單向(xiang)(xiang)(xiang)晶(jing)閘(zha)管(guan)(guan)(guan)是PNPN四層結構，形成三個(ge)PN結，具(ju)(ju)有(you)(you)三個(ge)外(wai)電極(ji)A、K和G，可等效為PNP、NPN兩(liang)(liang)(liang)晶(jing)體管(guan)(guan)(guan)組成的(de)復合管(guan)(guan)(guan)，見圖(tu)(tu)14左邊(bian)。在A、K間(jian)加(jia)上正向(xiang)(xiang)(xiang)電壓(ya)后，管(guan)(guan)(guan)子(zi)并不(bu)導(dao)(dao)通(tong)。此時(shi)(shi)在控(kong)(kong)制極(ji)G加(jia)上正電壓(ya)時(shi)(shi)，VT1、VT2相繼迅速導(dao)(dao)通(tong)，此時(shi)(shi)即(ji)使去掉控(kong)(kong)制極(ji)電壓(ya)，管(guan)(guan)(guan)子(zi)仍維持導(dao)(dao)通(tong)狀態。雙(shuang)向(xiang)(xiang)(xiang)晶(jing)閘(zha)管(guan)(guan)(guan)可以等效為兩(liang)(liang)(liang)個(ge)單向(xiang)(xiang)(xiang)晶(jing)閘(zha)管(guan)(guan)(guan)反向(xiang)(xiang)(xiang)并聯，見圖(tu)(tu)14右(you)邊(bian)，雙(shuang)向(xiang)(xiang)(xiang)晶(jing)閘(zha)管(guan)(guan)(guan)可以控(kong)(kong)制雙(shuang)向(xiang)(xiang)(xiang)導(dao)(dao)通(tong)，因此除控(kong)(kong)制極(ji)G外(wai)的(de)另兩(liang)(liang)(liang)個(ge)電極(ji)不(bu)再分(fen)陽極(ji)陰極(ji)，而稱之為主(zhu)電極(ji)T1、T2。

　　[15] 檢測(ce)(ce)單(dan)向晶閘管：萬用表(biao)置(zhi)于(yu)“R×10Ω”擋，黑(hei)表(biao)筆(bi)接控制(zhi)(zhi)極G，紅表(biao)筆(bi)接陰(yin)極K，測(ce)(ce)量其正向電(dian)(dian)(dian)(dian)阻，應(ying)(ying)有較小(xiao)的(de)阻值。對調兩(liang)表(biao)筆(bi)測(ce)(ce)其反向電(dian)(dian)(dian)(dian)阻，應(ying)(ying)比正向電(dian)(dian)(dian)(dian)阻明顯大一些。測(ce)(ce)量控制(zhi)(zhi)極G與陽(yang)極A之間(jian)的(de)正、反向電(dian)(dian)(dian)(dian)阻，均應(ying)(ying)為無窮(qiong)大。這(zhe)是(shi)因為G、A間(jian)為兩(liang)個PN結反向串聯，不(bu)論正、反向均不(bu)應(ying)(ying)導通，否則晶閘管已壞。

　　[16] 檢測(ce)雙向晶閘(zha)管：萬用表(biao)置(zhi)于“R×1Ω”擋，兩表(biao)筆測(ce)量控制極G與主電(dian)(dian)極T1間的正(zheng)(zheng)、反向電(dian)(dian)阻(zu)(zu)，均應為較小阻(zu)(zu)值(zhi)。測(ce)量控制極G與主電(dian)(dian)極T2間的正(zheng)(zheng)、反向電(dian)(dian)阻(zu)(zu)，均應為無窮大。

　　[17] 檢測單向(xiang)(xiang)晶閘管(guan)導通(tong)特性(xing)：萬用表(biao)置于“R×1Ω”擋，黑(hei)表(biao)筆接陽(yang)極(ji)(ji)A，紅表(biao)筆接陰(yin)極(ji)(ji)K，表(biao)針(zhen)指示(shi)(shi)應(ying)為無(wu)窮(qiong)大。用螺絲(si)刀等金屬物將控制極(ji)(ji)G與(yu)陽(yang)極(ji)(ji)A短接一下(短接后即斷開)，表(biao)針(zhen)應(ying)向(xiang)(xiang)右偏轉并(bing)保(bao)(bao)持在(zai)十(shi)幾(ji)歐姆處。檢測雙(shuang)向(xiang)(xiang)晶閘管(guan)導通(tong)特性(xing)：黑(hei)表(biao)筆接主(zhu)電極(ji)(ji)T1，紅表(biao)筆接主(zhu)電極(ji)(ji)T2，表(biao)針(zhen)指示(shi)(shi)應(ying)為無(wu)窮(qiong)大。將控制極(ji)(ji)G與(yu)主(zhu)電極(ji)(ji)T2短接一下，表(biao)針(zhen)應(ying)向(xiang)(xiang)右偏轉并(bing)保(bao)(bao)持在(zai)十(shi)幾(ji)歐姆處。如不符合上述(shu)情況則說明(ming)晶閘管(guan)已損壞。

　　[18] 晶閘管(guan)具有(you)(you)以小電(dian)流(liu)(liu)(電(dian)壓)控制(zhi)大電(dian)流(liu)(liu)(電(dian)壓)的作用(yong)(yong)，并(bing)具有(you)(you)體積小、重(zhong)量輕、功耗低、效率高(gao)、開關(guan)(guan)速度快等(deng)優點(dian)，在無觸點(dian)開關(guan)(guan)、可控整流(liu)(liu)、逆變、調光、調壓、調速等(deng)方面(mian)得(de)到廣(guang)泛的應用(yong)(yong)。圖示(shi)為晶閘管(guan)無觸點(dian)開關(guan)(guan)控制(zhi)的報警器(qi)電(dian)路，當探頭(tou)檢(jian)測(ce)到異常情況時，輸出(chu)一正脈沖至控制(zhi)極(ji)G，晶閘管(guan)VS導(dao)通使(shi)報警器(qi)報警，直至有(you)(you)關(guan)(guan)人員到場并(bing)切(qie)斷開關(guan)(guan)S才停止報警。

　　[19] 雙向(xiang)晶閘管可(ke)(ke)以(yi)用作交(jiao)(jiao)流調(diao)壓器。圖示(shi)電(dian)路中，RP、R和C組成充(chong)放電(dian)回路，C上(shang)電(dian)壓作為雙向(xiang)晶閘管VS的觸發(fa)電(dian)壓。調(diao)節RP可(ke)(ke)改(gai)變C的充(chong)電(dian)時間，也(ye)就改(gai)變了VS的導通角，達到交(jiao)(jiao)流調(diao)壓的目的。

　　[20] 普通(tong)(tong)晶閘管導(dao)通(tong)(tong)后(hou)控(kong)制(zhi)極(ji)即不起作(zuo)用，要關(guan)斷(duan)必須切(qie)斷(duan)電(dian)源，使流過晶閘管的正(zheng)向電(dian)流小(xiao)于維持(chi)電(dian)流。可關(guan)斷(duan)晶閘管克服了上述(shu)缺陷，當(dang)(dang)控(kong)制(zhi)極(ji)G加上正(zheng)脈沖電(dian)壓時(shi)晶閘管導(dao)通(tong)(tong)，當(dang)(dang)控(kong)制(zhi)極(ji)G加上負(fu)脈沖電(dian)壓時(shi)晶閘管關(guan)斷(duan)。